INK0112AC1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: INK0112AC1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: SC-59
Аналог (замена) для INK0112AC1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
INK0112AC1 даташит
ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf
INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unit mm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5 voltage drive and low on resistance. 0.35 0.8 0.35 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT
Другие MOSFET... INK0012AM1 , INK0012AU1 , INK0102AC1 , INK0102AM1 , INK0102AU1 , INK0103AC1 , INK0103AM1 , INK0103AU1 , IRF630 , INK0112AM1 , INK0112AU1 , INK011BAP1 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor