Справочник MOSFET. NDD60N550U1

 

NDD60N550U1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NDD60N550U1

Маркировка: 60N550U1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 33 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm

Тип корпуса: DPAK, IPAK

Аналог (замена) для NDD60N550U1

 

 

NDD60N550U1 Datasheet (PDF)

1.1. ndd60n550u1.pdf Size:129K _onsemi

NDD60N550U1
NDD60N550U1

NDD60N550U1 N-Channel Power MOSFET 600 V, 550 mW Features • 100% Avalanche Tested • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http://onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) 600 V 550 mW @ 10 V Parameter Symbol NDD Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V Gate-to-Source Voltage VGS ±25 V N-Channel

4.1. ndd60n360u1.pdf Size:130K _onsemi

NDD60N550U1
NDD60N550U1

NDD60N360U1 N-Channel Power MOSFET 600 V, 360 mW Features • 100% Avalanche Tested • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http://onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD Unit 600 V 360 mW @ 10 V Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V Gate-to-Source Voltage VGS ±25 V N-Channel

4.2. ndd60n900u1.pdf Size:128K _onsemi

NDD60N550U1
NDD60N550U1

NDD60N900U1 N-Channel Power MOSFET 600 V, 900 mW Features • 100% Avalanche Tested http://onsemi.com • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX 600 V 900 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V D (2) Gate-to-Source V

 4.3. ndd60n745u1.pdf Size:129K _onsemi

NDD60N550U1
NDD60N550U1

NDD60N745U1 N-Channel Power MOSFET 600 V, 745 mW Features • 100% Avalanche Tested http://onsemi.com • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX 600 V 745 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V D (2) Gate-to-Source V

Другие MOSFET... DKI04046 , DKI04077 , DKI04103 , DKI06075 , DKI06108 , DKI06186 , DKI06261 , DKI10299 , 2N7000 , DKI10751 , DL2M100N5 , DL2M50N5 , DMC1017UPD , DMC1028UFDB , DMC1029UFDB , DMC1030UFDB , DMC1229UFDB .

 

 
Back to Top