NDD60N550U1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDD60N550U1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDD60N550U1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDD60N550U1 даташит

 ..1. Size:129K  onsemi
 ndd60n550u1.pdf pdf_icon

NDD60N550U1

NDD60N550U1 N-Channel Power MOSFET 600 V, 550 mW Features 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 600 V 550 mW @ 10 V Parameter Symbol NDD Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V Gate-to-Source Voltage VGS 25 V N-Channel

 8.1. Size:130K  onsemi
 ndd60n360u1.pdf pdf_icon

NDD60N550U1

NDD60N360U1 N-Channel Power MOSFET 600 V, 360 mW Features 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD Unit 600 V 360 mW @ 10 V Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V Gate-to-Source Voltage VGS 25 V N-Channel

 8.2. Size:128K  onsemi
 ndd60n900u1.pdf pdf_icon

NDD60N550U1

NDD60N900U1 N-Channel Power MOSFET 600 V, 900 mW Features 100% Avalanche Tested http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX 600 V 900 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V D (2) Gate-to-Source V

 8.3. Size:129K  onsemi
 ndd60n745u1.pdf pdf_icon

NDD60N550U1

NDD60N745U1 N-Channel Power MOSFET 600 V, 745 mW Features 100% Avalanche Tested http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX 600 V 745 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V D (2) Gate-to-Source V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NDBA100N10B, NDBA170N06A, NDBA180N10B, NDD01N60, NDD02N40, NDD03N40Z, NDD03N80Z, NDD60N360U1, AON7410, NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z, NDDP010N25AZ, NDFP03N150C, NDFP03N150CG, NDFPD1N150C, NDFPD1N150CG