Справочник MOSFET. NP35N055YUK

 

NP35N055YUK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NP35N055YUK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: HSON

 Аналог (замена) для NP35N055YUK

 

 

NP35N055YUK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  renesas
 np35n055yuk.pdf

NP35N055YUK NP35N055YUK

Preliminary Data Sheet NP35N055YUK R07DS1002EJ010055 V 35 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Feb 08, 2013Description The NP35N055YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 6.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) Non logic level drive t

 8.1. Size:279K  st
 vnp35n07.pdf

NP35N055YUK NP35N055YUK

VNP35N07"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP35N07 70 V 0.028 35 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

 8.2. Size:280K  st
 vnp35n07 2.pdf

NP35N055YUK NP35N055YUK

VNP35N07"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP35N07 70 V 0.028 35 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

 8.3. Size:222K  renesas
 np35n04yug.pdf

NP35N055YUK NP35N055YUK

Preliminary Data Sheet NP35N04YUG R07DS0016EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP35N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 10 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed

 8.4. Size:207K  renesas
 np35n04ylg.pdf

NP35N055YUK NP35N055YUK

Preliminary Data Sheet R07DS0182EJ0100NP35N04YLG Rev.1.00Oct 22, 2010MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) RDS(on) = 15 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A) Logic level

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top