Справочник MOSFET. IPI05CNE8NG

 

IPI05CNE8NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPI05CNE8NG

Маркировка: 05CNE8N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 85 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 135 nC

Время нарастания (tr): 42 ns

Выходная емкость (Cd): 1710 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IPI05CNE8NG

 

 

IPI05CNE8NG Datasheet (PDF)

1.1. ipb051ne8n-g ipi05cne8n-g ipp054ne8n-g.pdf Size:503K _update-mosfet

IPI05CNE8NG
IPI05CNE8NG

IPB051NE8N G IPI05CNE8N G IPP054NE8N G OptiMOS™2 Power-Transistor Product Summary Features V 85 V DS • N-channel, normal level R 5.1 mΩ DS(on),max (TO 263) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target

1.2. ipb051ne8n-g ipi05cne8n-g ipp054ne8n-g.pdf Size:503K _infineon

IPI05CNE8NG
IPI05CNE8NG

IPB051NE8N G IPI05CNE8N G IPP054NE8N G OptiMOS™2 Power-Transistor Product Summary Features V 85 V DS • N-channel, normal level R 5.1 mΩ DS(on),max (TO 263) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target

 3.1. ipp05cn10n ipp05cn10n ipb05cn10n-g ipi05cn10n-g.pdf Size:781K _infineon

IPI05CNE8NG
IPI05CNE8NG

IPB05CN10N G IPI05CN10N G IPP05CN10N G ™ 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 5.1 m - @? >2I .) R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' DS(on) I 100 A D R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 R DS(on) R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E 1) R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@? R $562= 7@C 9:89 7

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top