Справочник MOSFET. IPI08CNE8NG

 

IPI08CNE8NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI08CNE8NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 942 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IPI08CNE8NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI08CNE8NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:772K  infineon
 ipi08cne8n-g ipp08cne8n-g ipb08cne8n-g ipp08cne8n7.pdf pdf_icon

IPI08CNE8NG

IPB08CNE8N GIPI08CNE8N G IPP08CNE8N G 2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6=R m - @? >2I .) R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n)I DR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 RD n)R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8

 7.1. Size:527K  infineon
 ipb08cn10ng ipi08cn10ng ipp08cn10ng.pdf pdf_icon

IPI08CNE8NG

IPB08CN10N GIPI08CN10N G IPP08CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 8.2mDS(on),max (TO263) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 95 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target

 9.1. Size:778K  infineon
 ipp086n10n3g ipi086n10n3g ipb083n10n3g ipd082n10n3g.pdf pdf_icon

IPI08CNE8NG

IPP086N10N3 G IPI086N10N3 GIPB083N10N3 G IPD082N10N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO 252) 8.2 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 80 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JED

 9.2. Size:757K  infineon
 ipp086n10n3-g ipi086n10n3-g ipb083n10n3-g ipd082n10n3-g.pdf pdf_icon

IPI08CNE8NG

IPP086N10N3 G IPI086N10N3 GIPB083N10N3 G IPD082N10N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO 252) 8.2 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 80 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JED

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTHL082N65S3F , SWI069R10VS , SWD069R10VS , SWP069R10VS , IPP050N06NG , IPI05CNE8NG , IPP054NE8NG , IPI06CN10NG , 10N65 , IPP08CNE8NG , IPD12CNE8NG , IPI12CNE8NG , IPP12CNE8NG , IPI45N04S4L-08 , IPP45N04S4L-08 , TP2301PR , TP2302NR .

History: 2N6449 | HSS2307A | NVGS5120P | BSC100N03LSG | NTTFS5C673NL | TWE3139K | HFP3N80

 

 
Back to Top

 


 
.