ME4410AD - описание и поиск аналогов

 

ME4410AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4410AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME4410AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4410AD даташит

 ..1. Size:2143K  1
 me4410ad.pdf pdf_icon

ME4410AD

ME4410AD www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO

 ..2. Size:2143K  cn vbsemi
 me4410ad.pdf pdf_icon

ME4410AD

ME4410AD www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO

 7.1. Size:667K  1
 me4410a.pdf pdf_icon

ME4410AD

ME4410A N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 18m @VGS=10V The ME4410A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 20m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored

 8.1. Size:2143K  cn vbsemi
 me4410.pdf pdf_icon

ME4410AD

ME4410 www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 7N80G-TQ2-T , AO3419L , CMP100N04 , CMB100N04 , CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , AON7506 , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z , PDEC3907Z , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 .

History: 40N06 | STQ2HNK60Z-AP | SVS5N70F | PFB2N60 | STF13N60DM2 | 2SK3857MFV | STE38NB50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.