FCP260N65S3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCP260N65S3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FCP260N65S3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCP260N65S3 даташит
fcp260n65s3.pdf
FCP260N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 12 A, 260 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored
fcp260n65s3.pdf
FCP260N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 12 A, 260 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored
fcp260n65s3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FCP260N65S3 FEATURES Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 260m (Max) DS(on) Fast Switching 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies DC-DC Converters AC and DC Mot
fcp260n60e fcpf260n60e.pdf
March 2014 FCP260N60E / FCPF260N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 15 A, 260 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 220 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge
Другие MOSFET... DMN95H8D5HCT , DMP6180SK3-13 , FCH040N65S3 , FCH099N60E , FCH099N65S3 , FCP099N60E , FCP125N60E , FCP165N60E , IRFZ48N , FCP850N80Z , FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C .
History: 2N7002G-AE2-R
History: 2N7002G-AE2-R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031




