FCP260N65S3 - описание и поиск аналогов

 

FCP260N65S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCP260N65S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FCP260N65S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCP260N65S3 даташит

 ..1. Size:330K  1
fcp260n65s3.pdfpdf_icon

FCP260N65S3

FCP260N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 12 A, 260 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored

 ..2. Size:356K  onsemi
fcp260n65s3.pdfpdf_icon

FCP260N65S3

FCP260N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 12 A, 260 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored

 ..3. Size:259K  inchange semiconductor
fcp260n65s3.pdfpdf_icon

FCP260N65S3

isc N-Channel MOSFET Transistor FCP260N65S3 FEATURES Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 260m (Max) DS(on) Fast Switching 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies DC-DC Converters AC and DC Mot

 6.1. Size:818K  fairchild semi
fcp260n60e fcpf260n60e.pdfpdf_icon

FCP260N65S3

March 2014 FCP260N60E / FCPF260N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 15 A, 260 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 220 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge

Другие MOSFET... DMN95H8D5HCT , DMP6180SK3-13 , FCH040N65S3 , FCH099N60E , FCH099N65S3 , FCP099N60E , FCP125N60E , FCP165N60E , IRFZ48N , FCP850N80Z , FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C .

History: 2N7002G-AE2-R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.