IPI35CN10N - описание и поиск аналогов

 

IPI35CN10N - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPI35CN10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для IPI35CN10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI35CN10N технические параметры

 ..1. Size:854K  infineon
ipb34cn10ng ipd33cn10ng ipi35cn10ng ipp35cn10ng ipb34cn10n ipd33cn10n ipi35cn10n ipp35cn10n.pdfpdf_icon

IPI35CN10N

IPB34CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G IPP35CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 33 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 27 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
ipi35cn10n.pdfpdf_icon

IPI35CN10N

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPI35CN10N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.035 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 0.1. Size:704K  infineon
ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdfpdf_icon

IPI35CN10N

IPB35CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 34 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 27 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

Другие MOSFET... IPI110N20N3 , IPI111N15N3 , IPI147N12N3 , IPI180N10N3 , IPI200N15N3 , IPI200N25N3 , IPI26CN10N , IPI320N20N3 , P55NF06 , IPI530N15N3 , IPI600N25N3 , IPI80CN10N , IRFL3713S , IRFP3207Z , IRFP4905 , IRFSL4510 , IRFSL7762 .

 

 
Back to Top

 


 
.