Справочник MOSFET. IRFS630B

 

IRFS630B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS630B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS630B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS630B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  1
 irf630b irfs630b.pdf pdf_icon

IRFS630B

IRF630B/IRFS630B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchin

 7.1. Size:284K  1
 irfs630 irfs631.pdf pdf_icon

IRFS630B

 7.2. Size:508K  samsung
 irfs630a.pdf pdf_icon

IRFS630B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.333 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 8.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS630B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFU430A , 12N65KL-TA , 12N65KL-TQ , 12N65KG-TA , 12N65KG-TF , 12N65KG-TQ , HY3306P , HY3306B , IRF9540N , MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 .

History: SML5025HN | ZXMP10A18K | EMF02P02H | SI2366DS

 

 
Back to Top

 


 
.