SVF10N65T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF10N65T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 73.67 ns
Выходная емкость (Cd): 128.8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: TO220
SVF10N65T Datasheet (PDF)
svf10n65f svf10n65t.pdf
SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch
svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf
SVF10N65T/F/K/S 10A650V N 2SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf10n65cfj.pdf
SVF10N65CFJ_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65CFJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand
svf10n65cf svf10n65ck svf10n65cfjh.pdf
SVF10N65CF/K/FJH 10A650V N 2SVF10N65CF/K/FJH N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
