JCS8N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS8N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220MF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JCS8N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS8N60F даташит

 ..1. Size:616K  1
 jcs8n60s jcs8n60b jcs8n60c jcs8n60f.pdf pdf_icon

JCS8N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS8N60 Package MAIN CHARACTERISTICS 7.5 A ID 600 V VDSS Rdson 1.2 @Vgs=10V 54 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 ..2. Size:837K  jilin sino
 jcs8n60f.pdf pdf_icon

JCS8N60F

 0.1. Size:1084K  jilin sino
 jcs8n60vc jcs8n60rc jcs8n60bc jcs8n60sc jcs8n60cc jcs8n60fc.pdf pdf_icon

JCS8N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS8N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson 1.6 @Vgs=10V Qg 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATU

 0.2. Size:809K  jilin sino
 jcs8n60bb jcs8n60sb jcs8n60cb jcs8n60fb.pdf pdf_icon

JCS8N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS8N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY3210P, HY3210M, HY3210B, HY3210PS, HY3210PM, JCS8N60S, JCS8N60B, JCS8N60C, IRFP460, ME4953, SI4914DY, SSP60N05, SSP60N06, SUV90N06-05, SVF740T, SVF740F, AOB9N70