JCS8N60F - описание и поиск аналогов

 

JCS8N60F - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JCS8N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220MF
 

 Аналог (замена) для JCS8N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS8N60F технические параметры

 ..1. Size:616K  1
 jcs8n60s jcs8n60b jcs8n60c jcs8n60f.pdf pdf_icon

JCS8N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS8N60 Package MAIN CHARACTERISTICS 7.5 A ID 600 V VDSS Rdson 1.2 @Vgs=10V 54 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 ..2. Size:837K  jilin sino
 jcs8n60f.pdf pdf_icon

JCS8N60F

 0.1. Size:1084K  jilin sino
 jcs8n60vc jcs8n60rc jcs8n60bc jcs8n60sc jcs8n60cc jcs8n60fc.pdf pdf_icon

JCS8N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS8N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson 1.6 @Vgs=10V Qg 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATU

 0.2. Size:809K  jilin sino
 jcs8n60bb jcs8n60sb jcs8n60cb jcs8n60fb.pdf pdf_icon

JCS8N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS8N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HY3210P , HY3210M , HY3210B , HY3210PS , HY3210PM , JCS8N60S , JCS8N60B , JCS8N60C , IRF640 , ME4953 , SI4914DY , SSP60N05 , SSP60N06 , SUV90N06-05 , SVF740T , SVF740F , AOB9N70 .

 

 
Back to Top

 


 
.