SI4914DY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI4914DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для SI4914DY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4914DY даташит
si4914dy.pdf
Si4914DY New Product Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 10 V 7.0 Channel-1 RoHS 0.032 at VGS = 4.5 V 5.6 APPLICATIONS COMPLIANT 30 0.020 at VGS = 10 V 7.4 Logic DC/DC Channel-2 0.027 at VGS = 4.5 V
si4914dy.pdf
Si4914DY New Product Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 10 V 7.0 Channel-1 RoHS 0.032 at VGS = 4.5 V 5.6 APPLICATIONS COMPLIANT 30 0.020 at VGS = 10 V 7.4 Logic DC/DC Channel-2 0.027 at VGS = 4.5 V
si4914bdy.pdf
Si4914BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 8.4 LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky Channel-1 6.7 0.027 at VGS = 4.5 V 7.4 100 % Rg and UIS Tested 30 Compliant to RoHS Directive 2002/
si4914bd.pdf
Si4914BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 8.4 LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky Channel-1 6.7 0.027 at VGS = 4.5 V 7.4 100 % Rg and UIS Tested 30 Compliant to RoHS Directive 2002/
Другие MOSFET... HY3210B , HY3210PS , HY3210PM , JCS8N60S , JCS8N60B , JCS8N60C , JCS8N60F , ME4953 , IRLZ44N , SSP60N05 , SSP60N06 , SUV90N06-05 , SVF740T , SVF740F , AOB9N70 , AOTF29S50L , AOTF9N70L .
History: DMP2004VK | SSI65R360S2 | AP3P010H
History: DMP2004VK | SSI65R360S2 | AP3P010H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40








