APT47N65BC3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: APT47N65BC3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2565 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APT47N65BC3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT47N65BC3 даташит
apt47n65bc3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT47N65BC3 FEATURES Drain Current I =47A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.07 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
apt47n65bc3g.pdf
APT47N65BC3 600V 47A 0.070 Super Junction MOSFET COOLMOS Power Semiconductors D3 Ultra low RDS(ON) Increased Power Dissipation Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated TO-247 or Surface Mount D3PAK Package MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT47N65BC3 UNIT VDSS Drain-So
apt47n60bc3.pdf
APT47N60BC3 APT47N60SC3 600V 47A 0.070 Super Junction MOSFET D3PAK TO-247 COOLMOS Power Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller Capacitance D Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated G TO-247 or Surface Mount D3PAK Package S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT47N60BC3_SC3
apt47n60bcfg.pdf
FINAL DATA SHEET 600V 46A 0.083 APT47N60BCF APT47N60SCF APT47N60BCFG* APT47N60SCFG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. Super Junction FREDFET (B) COOLMOS Power Semiconductors D3PAK Ultra Low RDS(ON) Intrinsic Fast-Recovery Body Diode (S) Low Miller Capacitance Extreme Low Reverse Recovery Charge Ultra Low Gate Charge, Qg Ideal For Z
Другие MOSFET... APT30M30B2FLL , APT30M36B2FLL , APT30M36LFLL , APT30M36LLL , APT30M61BFLL , APT30M75BFLL , APT4014BVFR , APT4020BVFR , STF13NM60N , APT5010LFLL , APT5010LLL , APT5015BVFR , APT50M75LFLL , APT50M80LVFR , APT6010B2FLL , APT6010LFLL , APT6013LFLL .
History: FTS2057 | 2SK1879 | IRFB3006
History: FTS2057 | 2SK1879 | IRFB3006
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet




