R6011KNX - описание и поиск аналогов

 

R6011KNX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6011KNX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для R6011KNX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6011KNX даташит

 ..1. Size:1611K  rohm
r6011knx.pdfpdf_icon

R6011KNX

R6011KNX Datasheet Nch 600V 11A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.39 TO-220FM ID 11A PD 53W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Code Packing C7 G Tube lApplication l C7 Tube

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
r6011knx.pdfpdf_icon

R6011KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6011KNX FEATURES Drain Current I = 11A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 390m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 9.1. Size:750K  rohm
r6011enj.pdfpdf_icon

R6011KNX

R6011ENJ Nch 600V 11A Power MOSFET Data Sheet lOutline (2) VDSS 600V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 0.390W ID 11A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-

 9.2. Size:792K  rohm
r6011enx.pdfpdf_icon

R6011KNX

R6011ENX Nch 600V 11A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.390W ID 11A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lea

Другие MOSFET... R6007KNX , R6007MNJ , R6009JND3 , R6009JNJ , R6009JNX , R6009KNJ , R6009KNX , R6010MNX , AO4407A , R6015KNJ , R6015KNZ , R6020KNJ , R6020KNX , R6020KNZ , R6020KNZ1 , R6024KNJ , R6024KNX .

History: SL4041 | GKI06259 | SVT085R5NL5TR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.