R6030KNX - описание и поиск аналогов

 

R6030KNX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6030KNX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для R6030KNX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6030KNX даташит

 ..1. Size:1641K  rohm
r6030knx.pdfpdf_icon

R6030KNX

R6030KNX Datasheet Nch 600V 30A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.130 TO-220FM ID 30A PD 86W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Code Packing C7 G Tube lApplication l C7 Tub

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
r6030knx.pdfpdf_icon

R6030KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030KNX FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 130m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 7.1. Size:2178K  rohm
r6030knz.pdfpdf_icon

R6030KNX

R6030KNZ Datasheet Nch 600V 30A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.130 TO-3PF ID 30A PD 86W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Packing Tube Reel size (mm) - lApp

 7.2. Size:2166K  rohm
r6030knz1.pdfpdf_icon

R6030KNX

R6030KNZ1 Datasheet Nch 600V 30A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.130 TO-247 ID 30A PD 305W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Packing Tube Reel size (mm) - lA

Другие MOSFET... R6020KNJ , R6020KNX , R6020KNZ , R6020KNZ1 , R6024KNJ , R6024KNX , R6024KNZ , R6024KNZ1 , IRF540 , R6030KNZ , R6030KNZ1 , R6030MNX , R6504ENJ , R6504ENX , R6504KNJ , R6504KNX , R6507ENJ .

History: SMN01L20Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.