Справочник MOSFET. R6030KNX

 

R6030KNX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6030KNX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для R6030KNX

 

 

R6030KNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1641K  rohm
 r6030knx.pdf

R6030KNX R6030KNX

R6030KNXDatasheetNch 600V 30A Power MOSFETlOutlinelVDSS 600VRDS(on)(Max.)0.130 TO-220FMID30APD 86W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslCode Packing C7 G TubelApplicationl C7 Tub

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r6030knx.pdf

R6030KNX R6030KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030KNXFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.1. Size:2178K  rohm
 r6030knz.pdf

R6030KNX R6030KNX

R6030KNZDatasheetNch 600V 30A Power MOSFETlOutlinelVDSS 600VRDS(on)(Max.)0.130 TO-3PFID30APD 86W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Ultra fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsl Packing Tube Reel size (mm) -lApp

 7.2. Size:2166K  rohm
 r6030knz1.pdf

R6030KNX R6030KNX

R6030KNZ1DatasheetNch 600V 30A Power MOSFETlOutlinelVDSS 600VRDS(on)(Max.)0.130 TO-247ID30APD 305W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Ultra fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsl Packing Tube Reel size (mm) -lA

 7.3. Size:266K  inchange semiconductor
 r6030knz.pdf

R6030KNX R6030KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030KNZFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.4. Size:304K  inchange semiconductor
 r6030knz1.pdf

R6030KNX R6030KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030KNZ1FEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top