Справочник MOSFET. R6507ENJ

 

R6507ENJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6507ENJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.665 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для R6507ENJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6507ENJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1428K  rohm
r6507enj.pdfpdf_icon

R6507ENJ

R6507ENJDatasheetNch 650V 7A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.665ID 7APD 78W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Emboss

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
r6507enj.pdfpdf_icon

R6507ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6507ENJFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 665m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. Size:1424K  rohm
r6507enx.pdfpdf_icon

R6507ENJ

R6507ENXDatasheetNch 650V 7A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.665ID 7APD 46W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Bulk

 7.2. Size:251K  inchange semiconductor
r6507enx.pdfpdf_icon

R6507ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6507ENXFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 665m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... R6030KNX , R6030KNZ , R6030KNZ1 , R6030MNX , R6504ENJ , R6504ENX , R6504KNJ , R6504KNX , IRF630 , R6507ENX , R6507KNJ , R6509ENJ , R6509ENX , R6509KNJ , R6509KNX , R6511ENJ , R6511ENX .

History: TMU2N60AZ | IRF1018ESPBF | STB11NM60 | R5013ANX | FTK4828 | IRF1018ESLPBF

 

 
Back to Top

 


 
.