R6507KNJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: R6507KNJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.665 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для R6507KNJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6507KNJ даташит

 ..1. Size:1382K  rohm
 r6507knj.pdf pdf_icon

R6507KNJ

R6507KNJ Datasheet Nch 650V 7A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.665 ID 7A PD 78W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6507knj.pdf pdf_icon

R6507KNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6507KNJ FEATURES Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 665m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

 9.1. Size:1424K  rohm
 r6507enx.pdf pdf_icon

R6507KNJ

R6507ENX Datasheet Nch 650V 7A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.665 ID 7A PD 46W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Bulk

 9.2. Size:1428K  rohm
 r6507enj.pdf pdf_icon

R6507KNJ

R6507ENJ Datasheet Nch 650V 7A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.665 ID 7A PD 78W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Emboss

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... R6030KNZ1, R6030MNX, R6504ENJ, R6504ENX, R6504KNJ, R6504KNX, R6507ENJ, R6507ENX, IRF640N, R6509ENJ, R6509ENX, R6509KNJ, R6509KNX, R6511ENJ, R6511ENX, R6511KNJ, R6511KNX