Справочник MOSFET. R8002ANJ

 

R8002ANJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R8002ANJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R8002ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1546K  rohm
r8002anj.pdfpdf_icon

R8002ANJ

R8002ANJDatasheetNch 800V 2A Power MOSFETlOutlinel TO-263SVDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 4.3 LPT(S)ID 2APD 62W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
r8002anj.pdfpdf_icon

R8002ANJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R8002ANJFEATURESDrain Current I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. Size:1191K  rohm
r8002anx.pdfpdf_icon

R8002ANJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R8002ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 7.2. Size:251K  inchange semiconductor
r8002anx.pdfpdf_icon

R8002ANJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R8002ANXFEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.