Справочник MOSFET. R8005ANJ

 

R8005ANJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R8005ANJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для R8005ANJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R8005ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1624K  rohm
r8005anj.pdfpdf_icon

R8005ANJ

R8005ANJDatasheetNch 800V 5A Power MOSFETlOutlinel TO-263VDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 2.1 LPT(S)ID 5APD 120W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
r8005anj.pdfpdf_icon

R8005ANJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R8005ANJFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.1(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 7.1. Size:838K  rohm
r8005anx.pdfpdf_icon

R8005ANJ

R8005ANX Nch 800V 5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS800V TO-220FMRDS(on) (Max.)2.08WID5A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.(3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead pl

 7.2. Size:251K  inchange semiconductor
r8005anx.pdfpdf_icon

R8005ANJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R8005ANXFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.1(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... R6530KNX1 , R6530KNZ , R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , STF13NM60N , R8008ANJ , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 .

History: NP60N03KUG | HSM20N02 | RSS090P03 | JFPC20N65C | JFFC10N65C | WML80R1K0S | SI2300A

 

 
Back to Top

 


 
.