AP15P03Q - описание и поиск аналогов

 

AP15P03Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP15P03Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AP15P03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15P03Q даташит

 ..1. Size:1544K  1
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P03Q

 ..2. Size:1544K  allpower
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P03Q

 8.1. Size:2066K  cn apm
 ap15p04s.pdf pdf_icon

AP15P03Q

AP15P04S -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-15.8A DS D R

 8.2. Size:1789K  cn apm
 ap15p06df.pdf pdf_icon

AP15P03Q

AP15P06DF -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-15A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q , AP10N10K , AP120N03K , AP15N10 , IRF640 , AP2045K , AP2080K , AP2300 , AP2301 , AP2302 , AP2302B , AP2305 , AP2310S .

History: CRST060N10N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.