FKBA3006 - аналоги и даташиты транзистора

 

FKBA3006 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FKBA3006
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK5X6
 

 Аналог (замена) для FKBA3006

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FKBA3006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  1
 fkba3006.pdf pdf_icon

FKBA3006

FKBA3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 81A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3006 is the high cell density trenched N-ch MOSF

 ..2. Size:597K  fetek
 fkba3006.pdf pdf_icon

FKBA3006

FKBA3006 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 30V 5.5m 81A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3006 is the high cell density trenched N-ch MOSF

 7.1. Size:596K  1
 fkba3004.pdf pdf_icon

FKBA3006

FKBA3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 8.5m 30V 58A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3004 is the high cell density trenched N-ch MOSF

 7.2. Size:596K  fetek
 fkba3004.pdf pdf_icon

FKBA3006

FKBA3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline 8.5m 30V 58A Advanced high cell density Trench technology PRPAK5X6 Pin Configuration Description The FKBA3004 is the high cell density trenched N-ch MOSF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , 8N06D , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , IRFB4110 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C .

History: FQA170N06 | DM7N65C | DM5N65E-F | FDT86113LZ

 

 
Back to Top

 


 
.