Справочник MOSFET. FKBB3002

 

FKBB3002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FKBB3002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FKBB3002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  1
 fkbb3002.pdf pdf_icon

FKBB3002

FKBB3002 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 5 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 30V 18m 28A technology Description PRPAK3X3 Pin Configuration The FKBB3002 is the high cell density trenched N-ch MOSFE

 ..2. Size:458K  fetek
 fkbb3002.pdf pdf_icon

FKBB3002

FKBB3002 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 5 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 30V 18m 28A technology Description PRPAK3X3 Pin Configuration The FKBB3002 is the high cell density trenched N-ch MOSFE

 7.1. Size:468K  1
 fkbb3004.pdf pdf_icon

FKBB3002

FKBB3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench 9m 30V 46A technology PRPAK3X3 Pin Configuration Description The FKBB3004 is the high cell density trenched N-ch MOS

 7.2. Size:468K  fetek
 fkbb3004.pdf pdf_icon

FKBB3002

FKBB3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench 9m 30V 46A technology PRPAK3X3 Pin Configuration Description The FKBB3004 is the high cell density trenched N-ch MOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3923-01 | VSE002N03MS-G | PM550BA | 2SK3430-ZJ | SSU65R600S2 | MCAC50N10Y | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.