FKBB3002 - описание и поиск аналогов

 

FKBB3002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FKBB3002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для FKBB3002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FKBB3002 даташит

 ..1. Size:458K  1
 fkbb3002.pdf pdf_icon

FKBB3002

FKBB3002 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 5 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 30V 18m 28A technology Description PRPAK3X3 Pin Configuration The FKBB3002 is the high cell density trenched N-ch MOSFE

 ..2. Size:458K  fetek
 fkbb3002.pdf pdf_icon

FKBB3002

FKBB3002 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 5 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 30V 18m 28A technology Description PRPAK3X3 Pin Configuration The FKBB3002 is the high cell density trenched N-ch MOSFE

 7.1. Size:468K  1
 fkbb3004.pdf pdf_icon

FKBB3002

FKBB3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench 9m 30V 46A technology PRPAK3X3 Pin Configuration Description The FKBB3004 is the high cell density trenched N-ch MOS

 7.2. Size:468K  fetek
 fkbb3004.pdf pdf_icon

FKBB3002

FKBB3004 FETek Technology Corp. N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench 9m 30V 46A technology PRPAK3X3 Pin Configuration Description The FKBB3004 is the high cell density trenched N-ch MOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 7N60TF , 8N06G , 8N06D , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , IRF640N , FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F .

History: CEP02N65D | STC4516 | STW8NK80Z | STJ001SF | DH100P30I | BSC059N03SG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.