AP2307GN - аналоги и даташиты транзистора

 

AP2307GN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2307GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2307GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2307GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ape
ap2307gn.pdfpdf_icon

AP2307GN

AP2307GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -16V Small Package Outline RDS(ON) 60mD Surface Mount Device ID - 4ASSOT-23GDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, low on-resistance andGcost-effe

 0.1. Size:57K  ape
ap2307gn-hf.pdfpdf_icon

AP2307GN

AP2307GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -16V Small Package Outline RDS(ON) 60mD Surface Mount Device ID - 4A RoHS Compliant & Halogen-FreeSSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G

 8.1. Size:1032K  cn apm
ap2307ai.pdfpdf_icon

AP2307GN

AP2307AI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2307AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-7A DS DR

 8.2. Size:1505K  cn apm
ap2307mi.pdfpdf_icon

AP2307GN

AP2307MI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2307MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-7A DS DR

Другие MOSFET... EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , IRFB3607 , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM , AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP , AP9977GM-HF .

History: JMSH0403AGQ | AP9977GM-HF | BTS282Z

 

 
Back to Top

 


 
.