AP2307GN - описание и поиск аналогов

 

AP2307GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2307GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2307GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2307GN даташит

 ..1. Size:64K  ape
ap2307gn.pdfpdf_icon

AP2307GN

AP2307GN RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -16V Small Package Outline RDS(ON) 60m D Surface Mount Device ID - 4A S SOT-23 G Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and G cost-effe

 0.1. Size:57K  ape
ap2307gn-hf.pdfpdf_icon

AP2307GN

AP2307GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -16V Small Package Outline RDS(ON) 60m D Surface Mount Device ID - 4A RoHS Compliant & Halogen-Free S SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G

 8.1. Size:1032K  cn apm
ap2307ai.pdfpdf_icon

AP2307GN

AP2307AI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2307AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-7A DS D R

 8.2. Size:1505K  cn apm
ap2307mi.pdfpdf_icon

AP2307GN

AP2307MI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2307MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-7A DS D R

Другие MOSFET... EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , IRFB3607 , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM , AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP , AP9977GM-HF .

History: LSE60R240HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.