Справочник MOSFET. SSF8N80A

 

SSF8N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF8N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 93 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для SSF8N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:938K  samsung
 ssf8n80a.pdf pdf_icon

SSF8N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 7.1. Size:562K  silikron
 ssf8n80zh.pdf pdf_icon

SSF8N80A

SSF8N80ZFMain Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.1 (typ.) ID 8ATO-220FMarking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.2. Size:526K  silikron
 ssf8n80f.pdf pdf_icon

SSF8N80A

SSF8N80F Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.3 (typ.) ID 8A TO-220F Ma r k ing an d pin S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 7.3. Size:531K  silikron
 ssf8n80.pdf pdf_icon

SSF8N80A

SSF8N80 Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.38(typ.) ID 8A TO-220 Ma r k ing an d pin S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recover

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSF6N70A , SSF6N80A , SSF6N90A , SSF70N10A , SSF7N60A , SSF7N80A , SSF7N90A , SSF80N06A , IRFZ44N , SSF8N90A , SSF9N80A , SSF9N90A , SSH10N60A , SSH10N70 , SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A .

 

 
Back to Top

 


 
.