CS15N50F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CS15N50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для CS15N50F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CS15N50F даташит
cs15n50f a9r.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50F A9R General Description VDSS 500 V CS15N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 15 A PD(TC=25 ) 70 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.3 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various
cs15n50f cs15n50p.pdf
nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS15N50F,CS15N50P 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS15N50F TO-220F CS15N50F CS
cs15n50fa9r.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50F A9R General Description VDSS 500 V CS15N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 15 A PD(TC=25 ) 70 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.3 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various
cs15n50 a8r.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50 A8R General Description VDSS 500 V CS15N50 A8R, the silicon N-channel Enhanced ID 15 A PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.3 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow
Другие MOSFET... CS12N65FF , CS12N80F , CS12N80V , CS13N60P , CS13N60F , CS13N65P , CS13N65F , CS14N80V , IRF3710 , CS15N50P , CS15N70F , CS16N60F , CS16N60P , CS16N65F , CS16N65P , CS16N65W , CS18N20BF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205











