CS16N60F - описание и поиск аналогов

 

CS16N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS16N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS16N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS16N60F даташит

 ..1. Size:306K  crhj
cs16n60f a9h.pdfpdf_icon

CS16N60F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS16N60F A9H VDSS 600 V General Description ID 16 A CS16N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 70 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.41 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 ..2. Size:776K  convert
cs16n60f cs16n60p.pdfpdf_icon

CS16N60F

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS16N60F,CS16N60P 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS16N60F TO-220F CS16N60F CS

 7.1. Size:426K  crhj
cs16n60 a8h.pdfpdf_icon

CS16N60F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS16N60 A8H VDSS 600 V General Description ID 16 A CS16N60 A8, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.41 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.2. Size:426K  wuxi china
cs16n60a8h.pdfpdf_icon

CS16N60F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS16N60 A8H VDSS 600 V General Description ID 16 A CS16N60 A8, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.41 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Другие MOSFET... CS13N60P , CS13N60F , CS13N65P , CS13N65F , CS14N80V , CS15N50F , CS15N50P , CS15N70F , IRFB4115 , CS16N60P , CS16N65F , CS16N65P , CS16N65W , CS18N20BF , CS18N20BP , CS18N20BB , CS18N50F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.