CS8N65F-B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS8N65F-B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm

Тип корпуса: TO-220F-B

Аналог (замена) для CS8N65F-B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS8N65F-B даташит

 ..1. Size:428K  convert
 cs8n65f cs8n65p cs8n65d cs8n65f-b.pdf pdf_icon

CS8N65F-B

CS8N65F,CS8N65P, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS8N65D,CS8N65F-B 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS8N65F TO

 ..2. Size:443K  convert
 cs8n60f cs8n60p cs8n60u cs8n60d cs8n65f-b.pdf pdf_icon

CS8N65F-B

CS8N60F,CS8N60P, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS8N60U,CS8N60D,CS8N65F-B 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS

 7.1. Size:1248K  jilin sino
 jcs8n65v jcs8n65r jcs8n65c jcs8n65f jcs8n65s jcs8n65b.pdf pdf_icon

CS8N65F-B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS8N65C MAIN CHARACTERISTICS Package 8 8 8 8 8 8 8 8 8 ID .0 A VDSS 650 V Rdson-max 1.35 @Vgs=10V Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED

 7.2. Size:354K  crhj
 cs8n65f a9h.pdf pdf_icon

CS8N65F-B

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N65F A9H General Description VDSS 650 V CS8N65F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25 ) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS7N70F, CS7N70U, CS7N80P, CS8N120V, CS8N120W, CS8N60P, CS8N60U, CS8N60D, AON7403, CS8N65F, CS8N65P, CS8N65D, CS8N70F, CS8N90F, CS8N90P, CS9N65F, CS9N65D