CSP10N8P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CSP10N8P3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для CSP10N8P3
CSP10N8P3 Datasheet (PDF)
csp10n8p3.pdf
CSP10N8P3100V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingC
csp10n4p2.pdf
CSP10N4P2100V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingC
Другие MOSFET... CSFR7N60U , CSN03N2P2 , CSN03N3P9 , CSN04N1P5 , CSN06N3P6 , CSNC04N8P5 , CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , 5N65 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U .
History: NCE70T680F | NCE7190A | NCE7560K
History: NCE70T680F | NCE7190A | NCE7560K
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620



