Справочник MOSFET. CSP10N8P3

 

CSP10N8P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSP10N8P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CSP10N8P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSP10N8P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  convert
 csp10n8p3.pdf pdf_icon

CSP10N8P3

CSP10N8P3100V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingC

 8.1. Size:1172K  convert
 csp10n4p2.pdf pdf_icon

CSP10N8P3

CSP10N4P2100V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingC

Другие MOSFET... CSFR7N60U , CSN03N2P2 , CSN03N3P9 , CSN04N1P5 , CSN06N3P6 , CSNC04N8P5 , CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , 4435 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U .

History: SVS80R430FJDE3 | 2SK3496-01MR | RFL1N10L

 

 
Back to Top

 


 
.