Справочник MOSFET. DMN3009SK3

 

DMN3009SK3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN3009SK3
   Маркировка: N3009S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DMN3009SK3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3009SK3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  diodes
dmn3009sk3.pdfpdf_icon

DMN3009SK3

DMN3009SK3 Green 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TC = +25C Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 5.5m @ VGS = 10V 80A 30V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 9.0m @ VGS = 4.5V 60A Qualified to AEC-Q101 Standards for H

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
dmn3009sk3.pdfpdf_icon

DMN3009SK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN3009SK3FEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

 7.1. Size:544K  1
dmn3009lfvw-7.pdfpdf_icon

DMN3009SK3

DMN3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max BVDSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TC = +25C density end products 5.0m @ VGS = 10V 60A Occupies just 33% of the board area occupied b

 7.2. Size:544K  diodes
dmn3009lfvw.pdfpdf_icon

DMN3009SK3

DMN3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max BVDSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TC = +25C density end products 5.0m @ VGS = 10V 60A Occupies just 33% of the board area occupied b

Другие MOSFET... DMN1002UCA6 , DMN1003UCA6 , DMN1006UCA6 , DMN2009USS , DMN2036UCB4 , DMN2056U , DMN2058U , DMN3009LFVW , 10N65 , DMN3018SSS , DMN3023L , DMN3032LFDB , DMN3110LCP3 , DMN4031SSDQ , DMN4035L , DMN4060SVT , DMN4800LSSQ .

History: DMC3025LSD

 

 
Back to Top

 


 
.