Справочник MOSFET. DMN53D0LQ

 

DMN53D0LQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN53D0LQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для DMN53D0LQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN53D0LQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  diodes
dmn53d0lq.pdfpdf_icon

DMN53D0LQ

DMN53D0LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Very Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 1.6 @ VGS = 10V 500 mA 50V Fast Switching Speed 2.5 @ VGS = 4.5V 200 mA Low Input/Output Leakage ESD Protected to 2KV Totally Lead-Fre

 6.1. Size:237K  diodes
dmn53d0lw.pdfpdf_icon

DMN53D0LQ

DMN53D0LWN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 2.0 @ VGS = 10V 360mA 50V Fast Switching Speed 3.0 @ VGS = 5V 250mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Halogen and Antimony Free.

 6.2. Size:248K  diodes
dmn53d0lt.pdfpdf_icon

DMN53D0LQ

DMN53D0LTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance Very Low Gate Threshold Voltage 1.6 @ VGS = 10V 350 mA 50V Low Input Capacitance 2.5 @ VGS = 4.5V 200 mA Fast Switching Speed Low Input/ Output Leakage Ultra-Small Surface

 6.3. Size:328K  diodes
dmn53d0l.pdfpdf_icon

DMN53D0LQ

DMN53D0LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits ID N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance Very Low Gate Threshold Voltage 1.6 @ VGS = 10V 500 mA 50V Low Input Capacitance 2.5 @ VGS = 4.5V 200 mA Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage ESD Protected to 2KV

Другие MOSFET... DMN3018SSS , DMN3023L , DMN3032LFDB , DMN3110LCP3 , DMN4031SSDQ , DMN4035L , DMN4060SVT , DMN4800LSSQ , 75N75 , DMN6040SSDQ , DMN6040SVTQ , DMN6070SY , DMN61D8L , DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U .

History: VN2222LM | FC6B21100L | TPV80R300C | DMT6009LFG | IRFU13N20DPBF | SWP100N10A | 2SK365

 

 
Back to Top

 


 
.