Справочник MOSFET. DMN6070SY

 

DMN6070SY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMN6070SY
   Маркировка: 67Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT89

 Аналог (замена) для DMN6070SY

 

 

DMN6070SY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  diodes
 dmn6070sy.pdf

DMN6070SY DMN6070SY

DMN6070SY N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Gate Threshold Voltage BVDSS RDS(ON) TA = +25 Low Input Capacitance C Fast Switching Speed 85m @ VGS = 10V 4.1A 60V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 110m @ VGS = 4.5V 3.6A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description Me

 6.1. Size:230K  diodes
 dmn6070ssd.pdf

DMN6070SY DMN6070SY

DMN6070SSD60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 80m @ VGS = 10V 4.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 60V 100m @ VGS = 4.5V 3.6A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3

 6.2. Size:278K  diodes
 dmn6070sfcl.pdf

DMN6070SY DMN6070SY

DMN6070SFCL60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C applications Low RDS(ON) minimizes conduction losses 85 m @ VGS = 10V 3.0A 60V PCB footprint of 2.56mm2 120 m @ VGS = 4V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS C

 6.3. Size:1549K  cn vbsemi
 dmn6070ssd.pdf

DMN6070SY DMN6070SY

DMN6070SSDwww.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Chann

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: G22 | GP2M020A050X | NT2955G

 

 
Back to Top