DMN63D8LW - описание и поиск аналогов

 

DMN63D8LW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN63D8LW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для DMN63D8LW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN63D8LW даташит

 ..1. Size:455K  diodes
dmn63d8lw.pdfpdf_icon

DMN63D8LW

DMN63D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 380mA 30V Fast Switching Speed 330mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) D

 6.1. Size:535K  diodes
dmn63d8l.pdfpdf_icon

DMN63D8LW

DMN63D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 350mA 30V Fast Switching Speed 300mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Descrip

 6.2. Size:167K  diodes
dmn63d8lv.pdfpdf_icon

DMN63D8LW

DMN63D8LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 6.3. Size:166K  diodes
dmn63d8ldw.pdfpdf_icon

DMN63D8LW

DMN63D8LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 4.5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 &

Другие MOSFET... DMN6040SVTQ , DMN6070SY , DMN61D8L , DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , AO3400A , DMN65D8LQ , DMN67D8L , DMN67D8LW , DMN7022LFGQ , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ , DMP1005UFDF .

History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.