GT1003B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GT1003B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для GT1003B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT1003B даташит

 ..1. Size:641K  goford
gt1003b.pdfpdf_icon

GT1003B

GOFORD GT1003B Description The GT1003B uses advanced trench technology and design to provide excellent R , low gate charge. This DS(ON) device is suitable for use in high frequency Synchronous- recification application. General Features Schematic Diagram @ (Typ) 10V GT1003B 100V 7 A 115m 10N10 High density cell design for ultra low Rdson Lead free

 8.1. Size:621K  goford
gt1003a.pdfpdf_icon

GT1003B

GOFORD GT1003A Description The GT1003A uses advanced trench technology and design to provide excellent R , low gate charge. This DS(ON) device is suitable for use in high frequency Synchronous- recification application. General Features Schematic Diagram @ (Typ) 10V GT1003A 100V 7 A 115m 10N10 High density cell design for ultra low Rdson RoHS Co

 9.1. Size:181K  vishay
vs-gt100tp60n.pdfpdf_icon

GT1003B

VS-GT100TP60N www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A FEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (

 9.2. Size:184K  vishay
vs-gt100tp120n.pdfpdf_icon

GT1003B

VS-GT100TP120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT Power Module, 1200 V, 100 A FEATURES Low VCE(sat) trench IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(sat) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using

Другие IGBT... GC11N70F, GT045N10M, GT045N10T, GT045N10D5, GT060N10T, GT060N10M, GT070N15T, GT1003A, 2SK2842, GT10N10, GT125N10T, GT125N10M, GT125N10F, GT12N06S, GT130N03D5, GT15N10S, GT45N06