DMT10H010LK3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMT10H010LK3
Маркировка: T110LK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 68.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 53.7 nC
Время нарастания (tr): 14.1 ns
Выходная емкость (Cd): 792 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DMT10H010LK3
DMT10H010LK3 Datasheet (PDF)
dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3 Green100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 8.8m @ VGS = 10V 68.8A Low Qg Minimizes Switching Losses Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
dmt10h010lct.pdf
GreenDMT10H010LCT 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BV R Package DSS DS(ON) High BV Rating for Power Application DSST = +25C C Low Input/Output Leakage 100V 9.5m @V = 10V TO220AB 98A GS 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production Ensures More Reliable and Robust End Ap
dmt10h010lss.pdf
DMT10H010LSS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID MAX 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 100V 29.5A 9.5m @ VGS = 10V Low Input Capacitance Fast Switching Speed Totally Lead-Free &
dmt10h010lct.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMT10H010LCTFEATURESDrain Current I = 98A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
