DMN6017SK3 - описание и поиск аналогов

 

DMN6017SK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN6017SK3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DMN6017SK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN6017SK3 даташит

 ..1. Size:493K  diodes
dmn6017sk3.pdfpdf_icon

DMN6017SK3

DMN6017SK3 Green 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max Low Input Capacitance TC = +25 C Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 18m @ VGS = 10V 43A 60V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 20m @ VGS = 4.5V 41A Qualified to AEC-Q101 Standards for H

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
dmn6017sk3.pdfpdf_icon

DMN6017SK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN6017SK3 FEATURES Drain Current I = 43A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 18m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 8.1. Size:148K  diodes
dmn601wk.pdfpdf_icon

DMN6017SK3

DMN601WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance RDS(ON) Case SOT-323 Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low Gate Threshold Voltage UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per

 8.2. Size:322K  diodes
dmn6013lfg.pdfpdf_icon

DMN6017SK3

DMN6013LFG 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TA = +25 C 13m @ VGS = 10V 10.3A density end products 60V 18m @ VGS = 4.5V 8.8A Occupies just 33% of the board area o

Другие MOSFET... DMJ70H1D3SH3 , DMJ70H1D4SV3 , DMJ70H1D5SV3 , DMJ70H600SH3 , DMJ70H601SK3 , DMJ70H601SV3 , DMJ70H900HJ3 , DMN15H310SK3 , 60N06 , DMN60H3D5SK3 , DMN60H4D5SK3 , DMN80H2D0SCTI , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI .

History: SL607B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.