DMTH6010SCT - описание и поиск аналогов

 

DMTH6010SCT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMTH6010SCT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 759 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для DMTH6010SCT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMTH6010SCT даташит

 ..1. Size:477K  diodes
dmth6010sct.pdfpdf_icon

DMTH6010SCT

DMTH6010SCT 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 60V 7.2m @ VGS = 10V 100A 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low Input Capacitance Description Low Input/Output Lea

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
dmth6010sct.pdfpdf_icon

DMTH6010SCT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMTH6010SCT FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.2m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

 6.1. Size:536K  1
dmth6010lpsq-13.pdfpdf_icon

DMTH6010SCT

 6.2. Size:536K  diodes
dmth6010lpsq.pdfpdf_icon

DMTH6010SCT

Другие MOSFET... DMTH10H005LCT , DMTH10H005SCT , DMTH10H010LCT , DMTH10H010SCT , DMTH4005SCT , DMTH6004SCT , DMTH6004SCTB , DMTH6005LCT , 2SK3878 , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 .

History: ME2325 | KNP6165B | B4N65 | AOL1420

 

 

 

 

↑ Back to Top
.