EV3401 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EV3401
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT23
EV3401 Datasheet (PDF)
ev3401.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3401P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.2A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.53 @ VGS = -10 V,ID=-4.2A-30V -4.2A 64 @ VGS = -4.5V,ID=-4.0A86 @ VGS = -2.5V,ID=-1.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3401 Pin Assignm
ev3400.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3400N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 25@ VGS = 10 V,ID=5.8A30V 5.8A 36@ VGS = 4.5 V,ID=5.0A 40@ VGS = 2.5V,ID=4.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3400 Pin Assignment & Symb
ev3404.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3404N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ.25 @ VGS = 10 V,ID=5.8A30V 5.8A36@ VGS = 4.5V,ID=4.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3404 Pin Assignment & Symbol3-Lead Plastic SOT-23-
ev3407.pdf
Eternal Semiconductor Inc.EV3407P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP50 @ VGS = -10 V, ID=-4.3A -30V -4.3A63 @ VGS = -4.5V, ID=-3.0AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM O
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918