EV3401. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: EV3401
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для EV3401
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
EV3401 даташит
ev3401.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3401 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.2A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 53 @ VGS = -10 V,ID=-4.2A -30V -4.2A 64 @ VGS = -4.5V,ID=-4.0A 86 @ VGS = -2.5V,ID=-1.0A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package Lead Pb -free and halogen-free EV3401 Pin Assignm
ev3400.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3400 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 25@ VGS = 10 V,ID=5.8A 30V 5.8A 36@ VGS = 4.5 V,ID=5.0A 40@ VGS = 2.5V,ID=4.0A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package Lead Pb -free and halogen-free EV3400 Pin Assignment & Symb
ev3404.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3404 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Typ. 25 @ VGS = 10 V,ID=5.8A 30V 5.8A 36@ VGS = 4.5V,ID=4.0A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package Lead Pb -free and halogen-free EV3404 Pin Assignment & Symbol 3-Lead Plastic SOT-23-
ev3407.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3407 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.3A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )TYP 50 @ VGS = -10 V, ID=-4.3A -30V -4.3A 63 @ VGS = -4.5V, ID=-3.0A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM O
Другие MOSFET... ET6310 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , 10N65 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet




