1H10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 1H10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.4 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 44 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.135 Ohm
Тип корпуса: SOT89
1H10 Datasheet (PDF)
1h10.pdf
1H10 N-Channel Trench Power MOSFET General DescriptionSOT-89-3L The 1H10 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to providextremely low R . This device is ideal for poweDS(ON)switching application and LED backlighting.Features1.GATE V =100V; I =10ADS D2. DRAIN RDS(ON) @VGS= 10V, IDS= 3A, Typ 95m3. SOURCERDS(ON) @VGS= 4.5V, IDS=
ru1h100r.pdf
RU1H100RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/75ARDS (ON)=11m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Extremely high dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche testedApplicationsHigh Speed Power SwitchingUninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parame
nce01h10.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE01H10NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)
nce01h10d.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE01H10DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
