Справочник MOSFET. 1H10

 

1H10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 1H10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: SOT89

 Аналог (замена) для 1H10

 

 

1H10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5466K  haolin elec
 1h10.pdf

1H10 1H10

1H10 N-Channel Trench Power MOSFET General DescriptionSOT-89-3L The 1H10 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to providextremely low R . This device is ideal for poweDS(ON)switching application and LED backlighting.Features1.GATE V =100V; I =10ADS D2. DRAIN RDS(ON) @VGS= 10V, IDS= 3A, Typ 95m3. SOURCERDS(ON) @VGS= 4.5V, IDS=

 0.1. Size:288K  ruichips
 ru1h100r.pdf

1H10 1H10

RU1H100RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/75ARDS (ON)=11m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Extremely high dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche testedApplicationsHigh Speed Power SwitchingUninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parame

 0.2. Size:377K  ncepower
 nce01h10.pdf

1H10 1H10

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE01H10NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

 0.3. Size:320K  ncepower
 nce01h10d.pdf

1H10 1H10

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE01H10DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top