Справочник MOSFET. SSR1N50

 

SSR1N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSR1N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSR1N50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSR1N50

 0.2. Size:504K  samsung
 ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSR1N50

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 4.046 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Char

 9.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSR1N50

 9.2. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSR1N50

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSP6N60 , SSP6N70A , SSP6N80A , SSP6N90A , SSP70N10A , SSP7N60A , SSP7N80A , SSP80N06A , IRF840 , SSR1N50A , SSR1N60A , SSR2N60A , SSR3055A , SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A .

History: STP15N95K5 | DG2N65-220F | IXFR15N80Q | APT901R3BN | IRF3707SPBF | IPP600N25N3 | SIHLL110

 

 
Back to Top

 


 
.