Справочник MOSFET. HY4004B

 

HY4004B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY4004B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 208 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1465 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HY4004B

 

 

HY4004B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  hymexa
 hy4004p hy4004b.pdf

HY4004B HY4004B

HY4004P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/208ARDS(ON)= 2.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and RuggedSGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering and Marking Informatio

 9.1. Size:3615K  hymexa
 hy4008.pdf

HY4004B HY4004B

HY4008W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Infor

 9.2. Size:4866K  hymexa
 hy4008p hy4008m hy4008b hy4008ps hy4008pm.pdf

HY4004B HY4004B

HY4008P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin Descriptioneatures F80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10VS D S100% avalanche testedD GG SD Reliable and RuggedG TO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-263-2LTO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsATO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-3PS-

 9.3. Size:3615K  hymexa
 hy4008w hy4008a.pdf

HY4004B HY4004B

HY4008W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Infor

 9.4. Size:671K  hymexa
 hy4008b6.pdf

HY4004B HY4004B

HY4008B6N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 80V/255ARDS(ON)= 2.6m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive Pin2,3,5,6,7 N-Channel MOSFET Ordering and Marking Info

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top