HY4004B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY4004B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 208 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1465 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HY4004B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4004B даташит

 ..1. Size:952K  hymexa
 hy4004p hy4004b.pdf pdf_icon

HY4004B

HY4004P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 40V/208A RDS(ON)= 2.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S GD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GDS TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET Ordering and Marking Informatio

 9.1. Size:3615K  hymexa
 hy4008.pdf pdf_icon

HY4004B

HY4008W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/200A RDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S D D G G TO-247-3L TO-3P-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking Infor

 9.2. Size:4866K  hymexa
 hy4008p hy4008m hy4008b hy4008ps hy4008pm.pdf pdf_icon

HY4004B

HY4008P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description eatures F 80V/200A RDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V S D S 100% avalanche tested D G G S D Reliable and Rugged G TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-3PS-

 9.3. Size:3615K  hymexa
 hy4008w hy4008a.pdf pdf_icon

HY4004B

HY4008W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/200A RDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S D D G G TO-247-3L TO-3P-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking Infor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY3712B, HY3712PS, HY3712PM, HY3906W, HY3906A, HY3912W, HY3912A, HY4004P, IRF1404, HY4008B6, HY4008P, HY4008M, HY4008B, HY4008PS, HY4008PM, HY4306B6, HY4306P