HY4004B - аналоги и даташиты транзистора

 

HY4004B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY4004B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 208 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1465 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HY4004B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4004B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  hymexa
 hy4004p hy4004b.pdf pdf_icon

HY4004B

HY4004P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/208ARDS(ON)= 2.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and RuggedSGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering and Marking Informatio

 9.1. Size:3615K  hymexa
 hy4008.pdf pdf_icon

HY4004B

HY4008W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Infor

 9.2. Size:4866K  hymexa
 hy4008p hy4008m hy4008b hy4008ps hy4008pm.pdf pdf_icon

HY4004B

HY4008P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin Descriptioneatures F80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10VS D S100% avalanche testedD GG SD Reliable and RuggedG TO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-263-2LTO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsATO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-3PS-

 9.3. Size:3615K  hymexa
 hy4008w hy4008a.pdf pdf_icon

HY4004B

HY4008W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Infor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HY3712B , HY3712PS , HY3712PM , HY3906W , HY3906A , HY3912W , HY3912A , HY4004P , IRF1404 , HY4008B6 , HY4008P , HY4008M , HY4008B , HY4008PS , HY4008PM , HY4306B6 , HY4306P .

History: 4N65G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.