Справочник MOSFET. HSBA060N10

 

HSBA060N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBA060N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 539 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA060N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1090K  1
hsba060n10.pdfpdf_icon

HSBA060N10

HSBA060N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBA060N10 is the high cell density trenched VDS 100 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),TYP 4.6 m and gate charge for most of the Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger. ID 86 A PRPAK5X6 Pin Configuration 100% EAS Guaranteed Low RDS(ON) Low Gate Charg

 ..2. Size:1090K  huashuo
hsba060n10.pdfpdf_icon

HSBA060N10

HSBA060N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBA060N10 is the high cell density trenched VDS 100 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),TYP 4.6 m and gate charge for most of the Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger. ID 86 A PRPAK5X6 Pin Configuration 100% EAS Guaranteed Low RDS(ON) Low Gate Charg

 9.1. Size:536K  1
hsba0048.pdfpdf_icon

HSBA060N10

HSBA0048 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSBA0048 is the high cell density trenched N- V 100 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 6.6 m DS(ON),TYPgate charge for most of the Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger. I 78 A DPRPAK5X6 Pin Configuration 100% EAS Guaranteed Low R DS(ON) Low Gate

 9.2. Size:819K  1
hsba0139.pdfpdf_icon

HSBA060N10

HSBA0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 42 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -30 A The HSBA0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NDP7050L | HRS85N08K | NDDL01N60Z | NDB6020P | WMQ30N03T2

 

 
Back to Top

 


 
.