Справочник MOSFET. HSBB3115

 

HSBB3115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBB3115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB3115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  1
 hsbb3115.pdf pdf_icon

HSBB3115

HSBB3115 Description Product Summary VDS -30 V The HSBB3115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -55 A The HSBB3115 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. 100% EAS Gu

 ..2. Size:671K  huashuo
 hsbb3115.pdf pdf_icon

HSBB3115

HSBB3115 Description Product Summary VDS -30 V The HSBB3115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -55 A The HSBB3115 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. 100% EAS Gu

 8.1. Size:923K  1
 hsbb3105.pdf pdf_icon

HSBB3115

HSBB3105 Description Product Summary VDS -30 V The HSBB3105 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 14 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -42 A The HSBB3105 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. l 100% EAS Gua

 8.2. Size:954K  1
 hsbb3103.pdf pdf_icon

HSBB3115

HSBB3103 Description Product Summary The HSBB3103 is the high cell density trenched P- VDS -30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),max 20 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -32 A The HSBB3103 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. l 100% EAS Guara

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HSCS2052

 

 
Back to Top

 


 
.