HSBB3115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBB3115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для HSBB3115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB3115 даташит

 ..1. Size:671K  1
 hsbb3115.pdf pdf_icon

HSBB3115

HSBB3115 Description Product Summary VDS -30 V The HSBB3115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -55 A The HSBB3115 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. 100% EAS Gu

 ..2. Size:671K  huashuo
 hsbb3115.pdf pdf_icon

HSBB3115

HSBB3115 Description Product Summary VDS -30 V The HSBB3115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -55 A The HSBB3115 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. 100% EAS Gu

 8.1. Size:923K  1
 hsbb3105.pdf pdf_icon

HSBB3115

HSBB3105 Description Product Summary VDS -30 V The HSBB3105 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 14 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -42 A The HSBB3105 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. l 100% EAS Gua

 8.2. Size:954K  1
 hsbb3103.pdf pdf_icon

HSBB3115

HSBB3103 Description Product Summary The HSBB3103 is the high cell density trenched P- VDS -30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),max 20 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -32 A The HSBB3103 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. l 100% EAS Guara

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSBB3052, HSBB3054, HSBB3056, HSBB3058, HSBB3060, HSBB3062, HSBB3103, HSBB3105, K3569, HSBB3214, HSBB4016, HSBB4052, HSBB4062, HSBB4115, HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115