HSBB4115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBB4115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для HSBB4115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB4115 даташит

 ..1. Size:532K  1
hsbb4115.pdfpdf_icon

HSBB4115

HSBB4115 P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB4115 is the high cell density trenched VDS -40 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 13 m converter applications. ID -39 A The HSBB4115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia

 ..2. Size:532K  huashuo
hsbb4115.pdfpdf_icon

HSBB4115

HSBB4115 P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB4115 is the high cell density trenched VDS -40 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 13 m converter applications. ID -39 A The HSBB4115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia

 9.1. Size:793K  1
hsbb4052.pdfpdf_icon

HSBB4115

HSBB4052 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB4052 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 6.9 m converter applications. ID 43 A The HSBB4052 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

 9.2. Size:763K  1
hsbb4062.pdfpdf_icon

HSBB4115

HSBB4062 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Features Product Summary Advanced Trench MOS Technology VDS 40 V Low Gate Charge RDS(ON),typ 12.5 m 100% EAS Guaranteed Green Device Available ID 33 A Applications Power Management Functions PRPAK3*3 Pin Configuration DC-DC Converters. Backlighting. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra

Другие IGBT... HSBB3062, HSBB3103, HSBB3105, HSBB3115, HSBB3214, HSBB4016, HSBB4052, HSBB4062, K4145, HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115, HSBB8008, HSBE2730, HSBE2738, HSBF3202, HSBG2024