HSCB2307 - описание и поиск аналогов

 

HSCB2307. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSCB2307

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 489 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для HSCB2307

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSCB2307 даташит

 ..1. Size:1125K  huashuo
hscb2307.pdfpdf_icon

HSCB2307

HSCB2307 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB2307 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 15 m converter applications. ID -8 A The HSCB2307 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 9.1. Size:1246K  huashuo
hscb2012.pdfpdf_icon

HSCB2307

HSCB2012 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB2012 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 12 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 12 A The HSCB2012 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appro

 9.2. Size:1039K  huashuo
hscb2016.pdfpdf_icon

HSCB2307

HSCB2016 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSCB2016 is the high cell density trenched N- V 20 V DS ch MOSFETs, which provides excellent RDSON R 9 m DS(ON),typ and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. I 16 A D The HSCB2016 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

 9.3. Size:830K  huashuo
hscb20d03.pdfpdf_icon

HSCB2307

HSCB20D03 20V Dual P-CH Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSCB20D03 is the high cell density trenched V -20 V DS P-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching R 90 m DS(ON),typ and load switch applications. I The HSCB20D03 meets the RoHS and Green D -3 A Product requirement with full function re

Другие MOSFET... HSBF3202 , HSBG2024 , HSBG2103 , HSCA2030 , HSCB1216 , HSCB2012 , HSCB2016 , HSCB20D03 , AO4407 , HSCB3010 , HSCC2734 , HSCC8204 , HSCC8211 , HSCC8233 , HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.