HSP15810C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSP15810C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 227 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 72 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 609 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
HSP15810C Datasheet (PDF)
hsp15810c.pdf
HSP15810C N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description V 100% EAS Guaranteed DS 100 V Green Device Available R 4.7 m DS(ON),typ Super Low RDS (ON) Advanced high cell density Trench I 120 A D technology TO220 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous recti
hsp150n02.pdf
HSP150N02 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP150N02 is the highest performance VDS 150 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 12 m charge for most of the synchronous buck ID 120 A converter applications. The HSP150N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EA
hsp150n15.pdf
HSP150N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 150 V The HSP150N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),TYP 5 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 150 A The HSP150N15 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
