Справочник MOSFET. HSS2012

 

HSS2012 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSS2012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 28 ns

Выходная емкость (Cd): 140 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS2012

 

 

HSS2012 Datasheet (PDF)

0.1. hss2012.pdf Size:497K _huashuo

HSS2012 HSS2012

HSS2012 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2012 is the high cell density trenched N-VDS 20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 10 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 6.8 A The HSS2012 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top