HSS2012 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSS2012  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HSS2012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS2012 даташит

 ..1. Size:497K  huashuo
 hss2012.pdf pdf_icon

HSS2012

HSS2012 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2012 is the high cell density trenched N- VDS 20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 10 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 6.8 A The HSS2012 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Другие IGBT... HSP6048, HSP6115, HSP8004, HSP80P10, HSP8N50, HSS0008, HSS0127, HSS1N20, STF13NM60N, HSS2300A, HSS2301B, HSS2301C, HSS2302A, HSS2302B, HSS2305A, HSS2306A, HSS2307