IXFH80N25X3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFH80N25X3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFH80N25X3
IXFH80N25X3 Datasheet (PDF)
ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdf

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA80N25X3Power MOSFET ID25 = 80AIXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3TO-263 AA (IXFA)IXFH80N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSFast Intrinsic DiodeD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab)VTO-3P (IXFQ)VDGR
ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf

IXFH 80N20QHiPerFETTMVDSS = 200 VIXFK 80N20QPower MOSFETs ID25 = 80 AIXFT 80N20QQ-Class RDS(on) = 28 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transi
ixfh80n10q ixft80n10q.pdf

IXFH 80N10Q VDSS = 100 VHiPerFETTMIXFT 80N10Q ID25 = 80 APower MOSFETs RDS(on) = 15 mWQ-Classtrr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary dataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Trans
ixfh80n65x2.pdf

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFH80N65X2Power MOSFET ID25 = 80A RDS(on) 40m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247Fast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VG = Gate D = DrainVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VS =
Другие MOSFET... IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , P60NF06 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , AIMW120R045M1 , AUIRLS8409-7P , BF2040 , BF2040R , BF2040W .
History: PSMN1R2-25YLC | AP50WN270IN | AP9998GI-HF
History: PSMN1R2-25YLC | AP50WN270IN | AP9998GI-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet