AUIRLS8409-7P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AUIRLS8409-7P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1990 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
Тип корпуса: D2PAK-7PIN
Аналог (замена) для AUIRLS8409-7P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AUIRLS8409-7P даташит
auirls8409-7p.pdf
AUIRLS8409-7P Features VDSS 40V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 0.50m Logic Level Gate Drive max. Ultra Low On-Resistance 0.75m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 500A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *
auirlsl4030.pdf
PD - 96406B AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS4030 Features AUIRLSL4030 l Optimized for Logic Level Drive HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS 100V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. l Fast Switching 3.4m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G max. 4.3m l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * ID 180A
auirls3114z.pdf
PD - 96412 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3114Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 40V D l Advanced Process Technology RDS(on) typ. l Ultra Low On-Resistance 3.8m l Enhanced dV/dT and dI/dT capability max. 4.9m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 122A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Wirebond Limited) 56A l Lead-Free, RoHS
auirls3036.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3036 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.9m Logic Level Gate Drive Dynamic dv/dt Rating max. 2.4m G 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 270A Fast Switching ID (Package Limited) S 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant
Другие MOSFET... IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , AIMW120R045M1 , 2SK3568 , BF2040 , BF2040R , BF2040W , BSC007N04LS6 , BSC010N04LS6 , BSC010N04LST , BSC011N03LST , BSC014N06NSSC .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a










