Справочник MOSFET. BSC007N04LS6

 

BSC007N04LS6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC007N04LS6
   Маркировка: 07N04LS6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0007 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8

 Аналог (замена) для BSC007N04LS6

 

 

BSC007N04LS6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1552K  infineon
 bsc007n04ls6.pdf

BSC007N04LS6 BSC007N04LS6

BSC007N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

 9.1. Size:1528K  infineon
 bsc009ne2ls5i.pdf

BSC007N04LS6 BSC007N04LS6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5IData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5ISuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance buck converters Monolithic integrated Schottky like diode Very low on

 9.2. Size:1502K  infineon
 bsc009ne2ls5.pdf

BSC007N04LS6 BSC007N04LS6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance buck converters Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% ava

 9.3. Size:693K  infineon
 bsc009ne2ls.pdf

BSC007N04LS6 BSC007N04LS6

BSC009NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for e-fuse and ORing applicationRDS(on),max 0.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 38 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 126 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 P

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top