BSZ021N04LS6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSZ021N04LS6
Маркировка: 21N04L6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 1.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: TSDSON-8
Аналог (замена) для BSZ021N04LS6
BSZ021N04LS6 Datasheet (PDF)
bsz021n04ls6.pdf

BSZ021N04LS6MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free accordi
bsz024n04ls6.pdf

BSZ024N04LS6MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free accord
bsz028n04ls.pdf

BSZ028N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.8 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 40 A 100% avalanche testedQOSS 28 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TSDSON-
bsz025n04ls.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 40 VBSZ025N04LSData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 40 VBSZ025N04LSTSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Optimized for synchronous rectification Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche test
Другие MOSFET... BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , 10N60 , BSZ024N04LS6 , BSZ031NE2LS5 , BSZ033NE2LS5 , BSZ037N06LS5 , BSZ039N06NS , BSZ040N06LS5 , BSZ0500NSI , BSZ0589NS .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84